LGE 1SMB5948A
" (2134)1SMB5913A-1SMB5957A Silicon Zener Diodes
1SMB5913B-1SMB5957B Silicon Zener Diodes
1SMB5913~1SMB5956 ZENER DIODES 3W 3.3V TO 200V ZENER VOLTAE REGULATOR DIODES
1SMB5913B至1SMB5956B表面贴装齐纳二极管SMB
本资料介绍了1SMB5913B至1SMB5956B型号的稳压二极管。这些器件具有不同的齐纳电压范围从3.3伏到200伏,峰值脉冲功率为3.0瓦。它们采用表面贴装设计的小型塑料封装,适用于各种电子电路。
1SMB5913B至1SMB5956B表面安装齐纳二极管
本资料介绍了1SMB5913B至1SMB5956B型号的稳压二极管。这些器件具有不同的齐纳电压范围(从3.3伏到200伏),峰值脉冲功率为3.0瓦。它们采用表面贴装设计的小型塑料封装,适用于各种电子电路。
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1SMB5913B至1SMB5956B表面安装齐纳二极管(DO-214AA/SMB)
本资料介绍了1SMB5913B至1SMB5956B型号的稳压二极管。这些器件具有不同的齐纳电压范围(从3.3伏到200伏),峰值脉冲功率为3.0瓦。它们采用表面贴装设计的小型塑料封装,适用于各种电子电路。
1SMB5913BV THRU 1SMB5956BV Surface Mount SILICON ZENER DIODES
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1SMB5913A
1SMB59xxBT3G Series,SZ1SMB59xxT3G Series 3 Watt Plastic Surface Mount Zener Voltage Regulators
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1SMB5913A - 1SMB5957A SILICON ZENER DIODES
1SMB5913A - 1SMB5956A SILICON ZENER DIODES
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1SMB59xxB 3W SMB功率齐纳二极管系列的扩展
Diodes Incorporated宣布扩展其1SMB59xxB系列3W SMB功率齐纳二极管产品线,包括42种不同电压(3.3V至200V)的齐纳二极管。这些二极管具有±5%的电压公差和典型小于1µA的漏电流,提供良好的稳定性。产品具备高功率耗散能力,适用于通用电压调节和移动设备、消费电子产品等应用。
鲁光电子(LGE)二极管/三极管/桥式整流器/功率器件选型表
鲁光电子科技有限公司(简称 LGE)成立于2002年9月,致力于功率半导体电子元器件研发、生产、销售的国家高新技术企业。其生产的TVS ,ZENER,SCHOTTKY,RECTIFIERS、FRED,TRANSISTOR、MOS、IGBT等半导体器件,广泛应用在汽车电子,消费类电子,智能制造,安防,工控,电动工具、新能源、船机等诸多领域。
- Silicon rectifiers
- Fast recovery rectitiers
- High efficiency rectifiers
- Super fast recovery rectifiers
- Small signal schottky barrier rectifiers
- Low VF schottky barrier rectifiers
- Schottky barrier rectifiers
- Small signal switching diodes
- Switching diodes
- TVS dides
- Zener diodes
- ESD protection diodes
- Silicon bidirectional Diacs
- Bridge rectifiers
- Three-phase Bridge rectifiers
- Automotive rectifiers
- High voltage rectifiers
- Transisitors
- MOSFET
- Voltage regulators
- Digital transistors
- TRIAC
- Standard rectifiers
- Thyristors
- Fast Recovery EPI Rectifiers
- SiC Diodes
- SiC FETs
- IGBT
Material Composition Declaration 1SMB5920BT3
Material Composition Declaration 1SMB5944BT3
Material Composition Declaration 1SMB5943BT3
Material Composition Declaration 1SMB5952BT3G
Material Composition Declaration 1SMB5954BT3
Material Composition Declaration 1SMB5953BT3
Material Composition Declaration 1SMB5949BT3
Material Composition Declaration 1SMB5946BT3
Material Composition Declaration 1SMB5946BT3G
1SMB5944BT3材料成分声明
这份资料是一份关于元器件的化学物质声明,具体涉及Onsemi公司的一款产品。声明中详细列出了产品中包含的化学物质及其含量,包括锡、硅、银、铅、锌、铁、铜等,并说明了这些物质是否符合欧盟RoHS指令的规定。此外,声明还提到了产品的制造信息、温度处理参数以及供应商的认证情况。
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